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申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司
摘要:本申请公开了一种标准对准图案修改方法及具有修改图案的半导体装置,本申请提供的标准对准图案修改方法包括:提供一半导体衬底;在所述半导体衬底形成第一对准图案,所述第一对准图案包括至少突出于所述半导体衬底表面的突出图形;在所述半导体衬底上形成第一光掩膜层,所述第一光掩膜层填充于所述突出图形之间并延伸覆盖所述突出图形,所述第一光掩膜层包括正型光刻胶;在所述第一光掩膜层中形成第一光掩膜图案;以所述第一光掩膜图案为掩膜,通过刻蚀工艺将所述第一对准图案修改成第二对准图案,所述第二对准图案包括至少凹入于所述突出图形中的中间图形。
主权项:1.一种标准对准图案修改方法,其特征在于,包括:提供一半导体衬底;在所述半导体衬底形成第一对准图案,所述第一对准图案包括至少突出于所述半导体衬底表面的突出图形;在所述半导体衬底上形成第一光掩膜层,所述第一光掩膜层填充于所述突出图形之间并延伸覆盖所述突出图形,所述第一光掩膜层包括正型光刻胶;在所述第一光掩膜层中形成第一光掩膜图案;以所述第一光掩膜图案为掩膜,通过刻蚀工艺将所述第一对准图案修改成第二对准图案,所述第二对准图案包括至少凹入于所述突出图形中的中间图形。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 长鑫存储技术有限公司 标准对准图案修改方法及具有修改图案的半导体装置
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