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申请/专利权人：高通股份有限公司
摘要：本公开的方面涉及电路。根据一方面，电路包括：第一层，其中第一层包括二维2D形状；第二层，第二层通过至少一个通孔被耦合为与第一层相邻，其中第二层仅包括一维1D形状；共享的漏极端子；以及源极端子端接。
主权项：1.一种电路，包括：第一层，其中所述第一层包括二维2D形状；第二层，所述第二层通过至少一个通孔与所述第一层相邻耦合，其中所述第二层仅包括一维1D形状；共享的漏极端子；以及源极端子端接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 高通股份有限公司 在超紫外线(EUV)技术中的可制造性设计(DFM)单元
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