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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2020-04-27
公开（公告）日：2020-08-07
公开（公告）号：CN111505096A
专利技术分类：...用极谱法，即缓慢改变电压时测量电流的变化[2006.01]
专利摘要：本申请公开了一种金属离子监控系统，包括：采样模块，用于每隔预定时间段，从清洗设备的清洗槽中获取清洗试剂的样品；检测模块，用于通过差分脉冲阳极溶出伏安法检测样品中的金属离子浓度；反馈模块，用于反馈金属离子浓度。本申请通过采样模块每隔预定时间段从清洗设备的清洗槽中获取清洗试剂的样品，检测模块通过差分脉冲阳极溶出伏安法检测样品中的金属离子浓度，反馈模块反馈金属离子浓度，由于每隔预定时间段进行采样检测，且通过耗时较短的差分脉冲阳极溶出伏安法，从而实现了对清洗槽中的清洗试剂的金属离子进行实时监控，降低了晶圆硅损伤的几率，在一定程度上提高了良率。
专利权项：1.一种金属离子监控系统，其特征在于，所述系统应用于半导体制造领域中的清洗设备中，所述系统包括：采样模块，用于每隔预定时间段，从所述清洗设备的清洗槽中获取清洗试剂的样品；检测模块，用于通过差分脉冲阳极溶出伏安法检测所述样品中的金属离子浓度；反馈模块，用于反馈所述金属离子浓度。
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 金属离子监控系统
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