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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2020-01-21
公开（公告）日：2020-08-11
公开（公告）号：CN211238175U
专利技术分类：.专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置[2006.01]
专利摘要：公开了一种终点检测装置和终点检测系统，用于检测刻蚀腔内的全光谱信号，终点检测装置包括传输组件、信号收集器和光谱收集器，传输组件与刻蚀腔连接，所述传输组件具有传输通道，信号收集器设置于传输通道内，光谱收集器与信号收集器连接，所述传输通道的长度大于所述刻蚀腔的腔壁厚度，信号收集器将接收的全光谱信号传输给光谱收集器并转化为多个不同的单色光谱信号，可以有效减少在信号收集器上聚集过多的副产物，提高收集光谱波长的准确性和稳定性。
专利权项：1.一种终点检测装置，用于检测刻蚀腔内的全光谱信号，其特征在于，所述装置包括：传输组件，与所述刻蚀腔连接；信号收集器，设置于所述传输组件内，用于接收刻蚀腔内的全光谱信号；光谱收集器，与所述信号收集器连接，用于将所述全光谱信号转化为多个不同的单色光谱信号；其中，所述传输组件具有传输通道，所述传输通道的长度大于所述刻蚀腔的腔壁厚度。
百度查询： 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 终点检测装置和终点检测系统
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