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申请/专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
摘要：本实用新型公开了一种集成了周边RCsnubber结构的碳化硅SBD器件元胞结构，所述元胞结构的JTE区外围和划片道之间设置了多个深沟槽结构，所述深沟槽结构内依次填充高介电常数介质和多晶硅致密性孔洞填充特性好的金属，并从所述多晶硅致密性孔洞填充特性好的金属上用金属引出RC电极。器件工作时，RC电极可以直接和SBD阳极相连，也可以单独引出匹配其他离散元件。本申请通过在碳化硅SBD器件元胞中集成RCsnubber结构，能在一个紧凑的封装中直接吸收SBD开关过程中的高频电压尖峰，增强SBD器件的耐压能力和抗干扰能力，增强器件可靠性，减少电路设计中需要匹配的snubber元件。
主权项：1.一种集成了周边RCsnubber结构的碳化硅SBD器件元胞结构，其特征在于，所述元胞结构的JTE区外围和划片道之间设置了多个深沟槽结构，所述深沟槽结构内依次填充高介电常数介质和多晶硅致密性孔洞填充特性好的金属，并从所述多晶硅致密性孔洞填充特性好的金属上用金属引出RC电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京世纪金光半导体有限公司 一种集成了周边RC snubber结构的碳化硅SBD器件元胞结构
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