买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2020-03-20

公开（公告）日：2020-10-02

公开（公告）号：CN111739886A

专利技术分类：.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的[2006.01]

专利摘要：公开了具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管布置。公开了晶体管布置和具有晶体管布置的电子电路。晶体管布置包括：漂移与漏极区（10），其被布置在半导体本体（100）中并且连接到漏极节点（D）；至少一个负载晶体管单元（201），其包括集成在半导体本体（100）的第一有源区（110）中的源极区（211）；至少一个感测晶体管单元（202），其包括集成在半导体本体（100）的第二有源区（120）中的源极区（212）；第一源极节点（S1），其电耦合到至少一个负载晶体管单元（201）的源极区（211）；第二源极节点（S2），其电耦合到至少一个感测晶体管单元（202）的源极区（212）；以及补偿电阻器（40），其被连接在至少一个感测晶体管单元（202）的源极区（212）和第二源极节点（S2）之间。补偿电阻器（40）被集成在半导体本体（100）中并且包括电阻导体（41），并且电阻导体（41）包括掺杂的半导体材料。

专利权项：1.一种晶体管布置，包括负载晶体管（Q1）和感测晶体管（Q2），其中负载晶体管（Q1）和感测晶体管（Q2）中的每个包括相应的漂移与漏极区（10）的部分，相应的漂移与漏极区（10）的部分被布置在半导体本体（100）中并且被连接到漏极节点（D）；其中负载晶体管（Q1）进一步包括：至少一个负载晶体管单元（201），其包括集成在半导体本体（100）的第一有源区（110）中的源极区（211）；以及至少一个感测晶体管单元（202），其包括集成在半导体本体（100）的第二有源区（120）中的源极区（212），并且其中感测晶体管（Q2）进一步包括：第一源极节点（S1），其电耦合到所述至少一个负载晶体管单元（201）的源极区（211）；第二源极节点（S2），其电耦合到所述至少一个感测晶体管单元（202）的源极区（212）；和补偿电阻器（40），其被连接在所述至少一个感测晶体管单元（202）的源极区（212）和第二源极节点（S2）之间，其中，补偿电阻器（40）被集成在半导体本体（100）中并且包括电阻导体（41），以及其中，电阻导体（41）包括掺杂的半导体材料。

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管布置