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申请/专利权人：华芯半导体研究院(北京)有限公司;华芯半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了具有斜坡PIA结构的VCSEL芯片及其制备方法，所述方法包括：（1）在GaAs衬底上按照层状结构依次制备NDBR层、MQW层、氧化层、PDBR层、P接触层和SIN膜；（2）采用灰度光刻法在所述SIN膜上制备呈斜坡状的PIA膜；（3）在所述PIA膜上制备P电极，以便得到PAD打线区；（4）制备N电极。本发明通过在PAD打线区设置斜坡PIA膜，不仅可以有效消除寄生电容，有效提高VCSEL芯片的高频特性，同时由于固化后的斜坡PIA具有斜坡，因而具有耐机械冲击的特性，可以有效解决金属爬台易断线的问题和增加后续芯片封装抗机械冲击的能力。
主权项：1.一种制备具有斜坡PIA结构的VCSEL芯片的方法，其特征在于，包括：（1）在GaAs衬底上按照层状结构依次制备NDBR层、MQW层、氧化层、PDBR层、P接触层和SIN膜；（2）采用灰度光刻法在所述SIN膜上制备呈斜坡状的PIA膜；（3）在所述PIA膜上制备P电极，以便得到PAD打线区；（4）制备N电极。
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