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申请/专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日：2021-07-23
公开（公告）日：2021-10-12
公开（公告）号：CN113497064A
专利技术分类：..其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板。所述阵列基板中包括多个像素驱动电路，所述像素驱动电路中包括驱动晶体管和开关晶体管,所述制备方法包括：在基底上形成铟镓锌氧化物层，所述铟镓锌氧化物层包括同层设置的所述开关晶体管的第一有源层和所述驱动晶体管的第二有源层；利用第一导体化工艺对所述第一有源层进行导体化以形成所述第一有源层的掺杂区和沟道区，以及利用第二导体化工艺对所述第二有源层进行导体化以形成所述第二有源层的掺杂区和沟道区，以使所述开关晶体管的亚阈值摆幅小于所述驱动晶体管的亚阈值摆幅。本发明实施例能够改善显示不均现象，提升显示效果。
专利权项：1.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板中包括多个像素驱动电路，所述像素驱动电路中包括驱动晶体管和开关晶体管；其特征在于,所述制备方法包括：在基底上形成铟镓锌氧化物层，所述铟镓锌氧化物层包括同层设置的所述开关晶体管的第一有源层和所述驱动晶体管的第二有源层；利用第一导体化工艺对所述第一有源层进行导体化以形成所述第一有源层的掺杂区和沟道区，以及利用第二导体化工艺对所述第二有源层进行导体化以形成所述第二有源层的掺杂区和沟道区，以使所述开关晶体管的亚阈值摆幅小于所述驱动晶体管的亚阈值摆幅。
百度查询： 合肥维信诺科技有限公司 阵列基板的制备方法、阵列基板
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