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申请/专利权人：美光科技公司
申请日：2020-07-31
公开（公告）日：2022-03-11
公开（公告）号：CN114175276A
专利技术分类：.....由绝缘栅产生场效应的[2006.01]
专利摘要：本发明公开一种晶体管，其包括：顶部源极漏极区域；底部源极漏极区域；以及竖直地位于所述顶部与底部源极漏极区域之间的沟道区域。栅极可操作地横向邻近所述沟道区域。所述顶部源极漏极区域、所述底部源极漏极区域和所述沟道区域分别具有晶粒和紧邻的所述晶粒之间的晶界。所述底部源极漏极区域和所述沟道区域中的至少一者在其内具有内部界面，所述内部界面位于在所述内部界面上方的所述晶粒与在所述内部界面下方的所述晶粒之间。直接在所述内部界面上方的所述晶粒中的至少一些与直接在所述内部界面下方的所述晶粒中的至少一些物理接触。直接在所述界面上方和下方的紧邻的所述物理接触的晶粒之间的所有所述晶界相对于彼此对准。所述内部界面包括a和b中的至少一者，其中a：直接在所述内部界面上方的电导率修改掺杂剂浓度低于直接在所述内部界面下方的浓度，和b：横向不连续的绝缘氧化物。本发明公开包含方法的其它实施例。
专利权项：1.一种晶体管，其包括：顶部源极漏极区域、底部源极漏极区域、竖直地位于所述顶部与底部源极漏极区域之间的沟道区域，以及与所述沟道区域可操作地横向邻近的栅极；所述顶部源极漏极区域、所述底部源极漏极区域和所述沟道区域分别具有晶粒和紧邻的所述晶粒之间的晶界；且所述底部源极漏极区域和所述沟道区域中的至少一者在其内具有内部界面，所述内部界面位于所述内部界面上方的所述晶粒与所述内部界面下方的所述晶粒之间，直接在所述内部界面上方的所述晶粒中的至少一些与直接在所述内部界面下方的所述晶粒中的至少一些物理接触，直接在所述界面上方和下方的紧邻的所述物理接触的晶粒之间的所有所述晶界相对于彼此对准，所述内部界面包括a和b中的至少一者，其中：a：直接在所述内部界面上方的电导率修改掺杂剂浓度低于直接在所述内部界面下方的浓度；及b：横向不连续的绝缘氧化物。
百度查询： 美光科技公司 晶体管和形成晶体管的方法
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