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申请/专利权人:华虹半导体(无锡)有限公司
摘要:本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种基于自动反馈机制改善ETOX结构闪存中FG填充效果的方法,其包括:在ETOX结构闪存工艺中调整CD大小,实现了使CD处于控制范围内,确保实际profile有利于Ploy填充以改善其填充效果。
主权项:1.一种改善ETOX结构闪存中FG填充效果的方法,其特征在于,包括:在ETOX结构闪存工艺中调整CD大小。
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百度查询: 华虹半导体(无锡)有限公司 基于自动反馈机制改善ETOX结构闪存中FG填充效果的方法
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