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申请/专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日：2018-02-07
公开（公告）日：2022-05-13
公开（公告）号：CN109478012B
专利技术分类：.相移掩膜〔PSM〕；PSM空白；其制备[2012.01]
专利摘要：本发明的掩膜坯，具备：透明基板；相移层，层压于该透明基板的表面，以Cr为主成分；蚀刻停止层，层压于所述相移层；及遮光层，层压于所述蚀刻停止层，以Cr为主成分。通过同一蚀刻剂来蚀刻所述相移层、所述蚀刻停止层及所述遮光层，从而能够制造形成于所述遮光层的遮光图案的边缘与层压于所述相移层的相移图案的边缘相比在俯视中被配置在后退的位置的相移掩膜。
专利权项：1.一种掩膜坯，其特征在于，具备：透明基板；相移层，层压于该透明基板的表面，以Cr为主成分；蚀刻停止层，层压于所述相移层；及遮光层，层压于所述蚀刻停止层，以Cr为主成分，通过同一蚀刻剂来蚀刻所述相移层、所述蚀刻停止层及所述遮光层，从而能够通过一次连续的蚀刻来制造形成于所述遮光层的遮光图案的边缘与层压于所述相移层的相移图案的边缘相比在俯视中被配置在后退的位置的相移掩膜，在所述相移层、所述蚀刻停止层及所述遮光层中，所述相移层的蚀刻开始时刻之前的所述遮光层被设定为相对于所述蚀刻停止层在电化学上贵，所述相移层的蚀刻开始时刻之后的所述遮光层被设定为相对于所述相移层在电化学上贱。
百度查询： 爱发科成膜株式会社 掩膜坯、相移掩膜、半色调掩膜、掩膜坯及相移掩膜的制造方法
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