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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日：2021-12-06
公开（公告）日：2022-06-10
公开（公告）号：CN216719973U
专利技术分类：...在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒[2010.01]
专利摘要：本实用新型提出了一种UVC外延结构，所述UVC外延结构包括UVCMQW层、UVAMQW层、P型ALGAN层、N型ALGAN层和基层，所述UVAMQW层铺设在所述UVCMQW层和P型ALGAN层之间，所述UVCMQW层的下表面依次铺设N型ALGAN层和基层，所述UVAMQW层在通电后发出可见光。本实用新型所提出的UVC外延结构通过增加能够发出可见光的UVAMQW层，能够直观看出UVC芯片是否能够正常工作。也可以在正常使用的过程中，通过UVAMQW层是否有持续发光来判别UVC芯片是否已经失效，避免出现UVCLED已失效而未发现的问题。通过本实用新型的UVC外延结构能够从生产到使用的整个过程判断UVC芯片正常工作与否，结构简单，成本低廉。
专利权项：1.一种UVC外延结构，其特征在于，所述UVC外延结构包括UVCMQW层、UVAMQW层、P型ALGAN层、N型ALGAN层和基层，所述UVAMQW层铺设在所述UVCMQW层和P型ALGAN层之间，所述UVCMQW层的下表面依次铺设N型ALGAN层和基层，所述UVAMQW层在通电后发出可见光。
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种UVC外延结构及UVC芯片
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