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外延基座及外延设备专利

发布时间:2022-08-02 17:47:11 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 外延基座及外延设备

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申请/专利权人:上海新昇半导体科技有限公司

申请日:2022-04-08

公开(公告)日:2022-07-29

公开(公告)号:CN217077861U

专利技术分类:..衬底夹持器或基座[2006.01]

专利摘要:本实用新型提供一种外延基座及外延设备,外延基座的第一面设置有用于装载晶圆的承载槽,承载槽的底壁包括第一接触部以及环绕第一接触部的第二接触部,第一接触部相对晶圆内凹于第二接触部,且第一接触部在执行外延工艺时与晶圆接触;第一接触部上设置有多个呈环状分布的第一凸点或第一凹坑,和或,外延基座的第二面上设置有多个呈环状分布的第二凸点或第二凹坑。在本实用新型中,通过在外延基座的第一面设置第一凸点或第一凹坑,和或在第二面设置第二凸点或第二凹坑,利用第一凸点及第二凹坑以提高晶圆对应区域的温度,或者利用第一凹坑及第二凸点以降低晶圆对应区域的温度,从而提高外延工艺时外延层的厚度及电阻率的均匀性。

专利权项:1.一种外延基座,其特征在于,所述外延基座具有相对设置的第一面及第二面,所述外延基座的第一面设置有用于装载晶圆的承载槽,所述承载槽的底壁包括第一接触部以及环绕所述第一接触部的第二接触部,所述第二接触部用于承接所述晶圆,所述第一接触部相对所述晶圆内凹于所述第二接触部,且所述第一接触部在执行外延工艺时与所述晶圆接触;所述第一接触部上设置有多个呈环状分布的第一凸点或第一凹坑,和或,所述外延基座的第二面且与所述第一接触部的相应区域上设置有多个呈环状分布的第二凸点或第二凹坑。

百度查询: 上海新昇半导体科技有限公司 外延基座及外延设备

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