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申请/专利权人：清华大学;北京清华长庚医院

申请日：2021-02-10

公开（公告）日：2022-08-16

公开（公告）号：CN114910840A

专利技术分类：....结构零部件，例如谐振器[2006.01]

专利摘要：本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层和输出匹配电路。第一电极层设置于第一电极层的第一表面。第二电极层和第三电极层相对间隔设置于第一电极层的第二表面。第二电极层与第一电极层部分重叠。第三电极层与第一电极层部分重叠。输出匹配电路连接于所述第一电极层与第二电极层之间。输出匹配电路还用于与信号采集装置连接。输出匹配电路用于调节信号采集装置两端的阻抗值和谐振频率，以直接取出检测信号，减小与其他线圈配合引起的耦合伪影和噪声，检测信号质量较高，图像质量较高。

专利权项：1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：第一电介质层100，具有相对的第一端103和第二端104，并包括相对的第一表面101和第二表面102；第一电极层110，设置于所述第一表面101，并从所述第一端103延伸至所述第二端104；第二电极层120和第三电极层130，相对间隔设置于所述第二表面102，所述第二电极层120靠近所述第一端103设置，所述第三电极层130靠近所述第二端104设置；所述第二电极层120在所述第一电介质层100的正投影与所述第一电极层110靠近所述第一端103的部分在所述第一电介质层100的正投影部分重叠，所述第二电极层120、所述第一电介质层100和所述第一电极层110靠近所述第一端103的部分构成第二结构电容302，所述第三电极层130在所述第一电介质层100的正投影与所述第一电极层110靠近所述第二端104的部分在所述第一电介质层100的正投影部分重叠，所述第三电极层130、所述第一电介质层100和所述第一电极层110靠近所述第二端104的部分构成第三结构电容303；输出匹配电路640，所述输出匹配电路640的一端与所述第一电极层110靠近所述第一端103的部分连接，所述输出匹配电路640的另一端与所述第二电极层120连接，所述输出匹配电路640还用于与信号采集装置连接，所述输出匹配电路640用于调节所述信号采集装置两端的阻抗值和谐振频率。

百度查询： 清华大学 北京清华长庚医院 磁场增强组件及磁场增强器件