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申请/专利权人：西安电子科技大学
申请日：2022-08-30
公开（公告）日：2022-12-09
公开（公告）号：CN115458595A
专利技术分类：.....带有二维载流子气沟道的，如HEMT[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种氧化镓氮化镓异质结栅的氮化镓HEMT器件及制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：衬底；缓冲层，位于衬底的一侧；势垒层，位于缓冲层背离衬底的一侧；源漏极，位于势垒层背离衬底的一侧，源极和漏极间隔设置；复合栅结构，位于势垒层背离衬底的一侧，且位于源极和漏极之间；复合栅结构包括p‑氮化镓和n‑氧化镓，n‑氧化镓位于p‑氮化镓背离衬底的一侧；栅极，位于复合栅结构背离衬底的一侧。本申请能够使器件获得更高的阈值电压和栅正向击穿电压。
专利权项：1.一种氧化镓氮化镓异质结栅的氮化镓HEMT器件，其特征在于，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底的一侧；势垒层，位于所述缓冲层背离所述衬底的一侧；源漏极，位于所述势垒层背离所述衬底的一侧，所述源极和所述漏极间隔设置；复合栅结构，位于所述势垒层背离所述衬底的一侧，且位于所述源极和所述漏极之间；所述复合栅结构包括p-氮化镓和n-氧化镓，所述n-氧化镓位于所述p-氮化镓背离所述衬底的一侧；栅极，位于所述复合栅结构背离所述衬底的一侧。
百度查询： 西安电子科技大学 氧化镓氮化镓异质结栅的氮化镓HEMT器件及制备方法
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