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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明公开了外延生长的KTONSTO薄膜及其制备和应用，其中，KTO外延薄膜具有大面积连续且平整的表面，且在KTONSTO异质结界面和KTO薄膜内部，原子按规则排列整齐，不存在无序区域和位错区域，K元素无明显缺失。该外延生长的KTONSTO薄膜是通过多次水热合成得到的。利用上述KTONSTO薄膜制得的X射线探测器，表现出超乎寻常的优异性能，在2V偏置电压下，在较宽的X射线剂量区间内均能观察到良好的台阶曲线，灵敏度和探测极限显著优于当前的商用X射线探测器；同时，该探测器在空气、高湿、辐照、冷热循环、高温下具有优异的电流响应稳定性。
主权项：1.一种外延生长的KTONSTO薄膜，其特征在于，为在NSTO基板上外延生长的单晶KTO薄膜，并具有：原子尺度上平整的KTONSTO异质结界面且界面锐利；原子按照KTO规则整齐排列的KTO薄膜内部；以及大面积连续且平整的KTO薄膜表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 外延生长的KTO/NSTO薄膜及其制备和应用
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