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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种改善背照式CIS的像素白点的工艺方法，背照式CIS的制造步骤中包括切边工艺，切边工艺包括：步骤一、将晶圆放置在切边机台上，晶圆的正面形成有背照式CIS的单元结构。步骤二、采用刀头对晶圆进行边缘切割。在边缘切割过程中，刀头和晶圆之间产生摩擦并形成摩擦热，通过控制晶圆的温度来降低摩擦热对晶圆的损伤并从而降低像素白点。本发明能降低晶圆的晶格结构损伤并从而降低像素白点。
主权项：1.一种改善背照式CIS的像素白点的工艺方法，其特征在于，背照式CIS的制造步骤中包括切边工艺，所述切边工艺包括如下步骤：步骤一、将晶圆放置在切边机台上，所述晶圆的正面形成有所述背照式CIS的单元结构；步骤二、采用刀头对所述晶圆进行边缘切割；在所述边缘切割过程中，所述刀头和所述晶圆之间产生摩擦并形成摩擦热，所述摩擦热会对所述晶圆的晶格结构产生损伤，通过控制所述晶圆的温度来降低所述摩擦热对所述晶圆的损伤并从而降低像素白点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善背照式CIS的像素白点的工艺方法
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