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申请/专利权人：先导薄膜材料(广东)有限公司
摘要：本发明属于磁记录靶材领域，具体公开一种CoFeSiB合金靶材及其制备方法。本发明所述CoFeSiB合金靶材，包括如下质量百分含量的元素组分：钴元素82‑88％，铁元素4‑6％，硅元素7‑9％，硼元素1‑3％。本发明所述CoFeSiB合金靶材成分均匀、准确，氧含量极低，晶粒尺寸均匀细小，靶材透磁率高，在后续应用中表现出良好的溅射效果。
主权项：1.一种CoFeSiB合金靶材，其特征在于，包括如下质量百分含量的元素组分：钴元素82-88％，铁元素4-6％，硅元素7-9％，硼元素1-3％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种CoFeSiB合金靶材及其制备方法
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