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摘要：本发明提供一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，由下至上依次为源极、GaN层和AlGaN势垒层，所述GaN层和AlGaN势垒层之间异质结界面设有2DEG，所述AlGaN势垒层的两端分别设有漏极，所述AlGaN势垒层的上部设有栅极，所述GaN层由下至上依次为源层、N型GaN漂移层、电流阻断层和GaN外延层，所述电流阻断层中部设有穿孔层。通过结合水平结构和垂直结构器件的优势，使传感器相对灵敏度可高达237.04％T栅电压为0V，漏电压为5V时，相比于同类型的磁场传感器，具备更高的相对灵敏度；电流沿着垂直方向从源极流向漏极，能有效缩小器件的尺寸，符合器件小型化的需求。
主权项：1.一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，其特征在于：由下至上依次为源极、GaN层和AlGaN势垒层，所述GaN层和AlGaN势垒层之间异质结界面设有2DEG，所述AlGaN势垒层的两端分别设有漏极，所述AlGaN势垒层的上部设有栅极，所述GaN层由下至上依次为源层、N型GaN漂移层、电流阻断层和GaN外延层，所述电流阻断层中部设有穿孔层；所述电流阻断层材料是SiO2；所述AlGaN势垒层为非故意掺杂的GaNAl0.25GaN0.75异质结构。
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百度查询： 南京邮电大学 一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器
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