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申请/专利权人:杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要:本发明涉及电子器件技术领域,且公开了一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法,包括以下步骤:S1、在外延片表面生长一层多晶硅;S2、涂胶光刻,形成图形;S3、刻蚀多晶硅,去除光刻胶;S4、重新涂胶光刻,控制光刻胶形貌及厚度;S5、各向同性刻蚀,将光刻胶刻蚀干净;本发明中,通过改进光刻胶处理工艺,改进刻蚀工艺,将多晶硅栅的顶角圆润化,从而避免电场集中问题,提高器件可靠性,另外,该方法亦可用在其它需要顶角圆润化处理的材料上。刻蚀方法相对简单,仅需增加一步光刻;将顶角变为圆角;为隔离层氧化膜的进一步减薄提供保障。
主权项:1.一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在外延片表面生长一层多晶硅;S2、涂胶光刻,形成图形;S3、刻蚀多晶硅,去除光刻胶;S4、重新涂胶光刻,控制光刻胶形貌及厚度;S5、各向同性刻蚀,将光刻胶刻蚀干净。
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权利要求:
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