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摘要：本发明公开了一种基于PEN衬底的柔性氧化镓紫外探测器的制备方法及探测器。制备方法包括如下步骤：1PEN衬底的裁剪和清洗；2利用磁控溅射工艺在所述PEN衬底上溅射氧化镓薄膜；3利用磁控溅射工艺在所述氧化镓薄膜上沉积制备ITO电极，形成紫外探测器；所述ITO电极沉积过程中使用掩膜板，溅射靶材为ITO，靶基距为80mm，具体的溅射参数如下：打靶时，氩气气流量为30sccm，溅射气压为8mTorr，溅射功率为80W，溅射时间为10min；正式生长时，氩气气流量为53sccm，溅射气压为8mTorr，溅射功率为80W，送样预设角度为276度，预溅射时间为60s，溅射时间为40min。本发明的探测器的制备方法工艺流程简单，制备的探测器柔性性能良好。
主权项：1.一种基于PEN衬底的柔性氧化镓紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1PEN衬底的裁剪和清洗；2利用磁控溅射工艺在所述PEN衬底上溅射氧化镓薄膜；3利用磁控溅射工艺在所述氧化镓薄膜上沉积制备ITO电极，形成紫外探测器；所述ITO电极沉积过程中使用掩膜板，溅射靶材为ITO，靶基距为80mm，具体的溅射参数如下：打靶时，氩气气流量为30sccm，溅射气压为8mTorr，溅射功率为80W，溅射时间为10min；正式生长时，氩气气流量为53sccm，溅射气压为8mTorr，溅射功率为80W，送样预设角度为276度，预溅射时间为60s，溅射时间为40min。
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百度查询： 天津理工大学 基于PEN衬底的柔性氧化镓紫外探测器的制备方法及探测器
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