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申请/专利权人：麦斯克电子材料股份有限公司
摘要：一种减少8吋重掺硼硅单晶原生位错密度的拉晶方法，单晶拉晶过程处于超导水平磁场条件下进行，通过控制引晶和放肩过程中的降温量，使放肩过程中的初始热场SP值为1250‑1350sp，放肩过程中的降温量为20‑25sp，进而省略转肩工序，使放肩过程在拉速为55‑65mmhr的条件下直接平稳过渡到等径过程，本发明，在8吋重掺硼硅单晶拉晶过程中，减少或者消除其原生位错密度，避免其出现点状缺陷，同时，保证8吋重掺硼硅单晶能够正常生长。
主权项：1.一种减少8吋重掺硼硅单晶原生位错密度的拉晶方法，单晶拉晶过程处于超导水平磁场条件下进行，其特征在于：通过控制引晶和放肩过程中的降温量，使放肩过程中的初始热场SP值为1250-1350sp，放肩过程中的降温量为20-25sp，进而省略转肩工序，使放肩过程在拉速为55-65mmhr的条件下直接平稳过渡到等径过程。
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