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摘要：本发明公开了具有横向抗光晕结构的双向扫描TIDCCD，包括衬底、形成于所述衬底上光敏区、形成于所述衬底上且沿第一方向分设于所述光敏区两相对侧的第一水平移位寄存器和第二水平移位寄存器以及形成于所述光敏区内并沿第一方向贯穿所述光敏区的多个抗晕结构，多个抗晕结构沿垂直于第一方向的第二方向均匀分布在所述光敏区内，且每一抗晕结构的两端对应所述第一水平移位寄存器和第二水平移位寄存器的位置处均分别连接有第一偏置引线和第二偏置引线。与现有技术相比，本发明能够有效消除弱光多级累加或者强光即便少级数累加也可能出现的光生信号电荷包超过像元的存储能力而扩散到相邻的一行或者多行，抑制光晕现象的产生，从而确保成像质量。
主权项：1.一种具有横向抗光晕结构的双向扫描TDICCD，包括衬底，其特征在于，还包括形成于所述衬底上光敏区、形成于所述衬底上且沿第一方向分设于所述光敏区两相对侧的第一水平移位寄存器和第二水平移位寄存器以及形成于所述光敏区内并沿第一方向贯穿所述光敏区的多个抗晕结构，多个抗晕结构沿垂直于第一方向的第二方向均匀分布在所述光敏区内，且每一抗晕结构的两端对应所述第一水平移位寄存器和第二水平移位寄存器的位置处均分别连接有第一偏置引线和第二偏置引线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 具有横向抗光晕结构的双向扫描TDICCD
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