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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请提供一种验证利用AEIOVL补偿套刻精度是否有效的方法，包括：若显影后套刻标记图形和刻蚀后套刻标记图形存在所述补偿偏差，则套刻偏差；获取特征图形偏差；根据套刻偏差和特征图形偏差，进行点对点建模以得到拟合曲线，并获取拟合曲线的K值和相关系数R2；根据相关系数R2以及K值，判断利用AEIOVL来补偿套刻精度的方式是否有效。本申请通过套刻偏差和特征图形偏差建模得到拟合曲线，并通过拟合曲线的相关系数R2和K值，判断利用AEIOVL来补偿套刻精度的方式是否有效，确保基于AEIOVL量测反馈的准确性和可靠性，从而改善图层最终真实套刻精度。
主权项：1.一种验证利用AEIOVL补偿套刻精度是否有效的方法，其特征在于，包括：选取显影后套刻偏差合格的晶圆作为待验证晶圆；对所述待验证晶圆进行曝光、显影以得到显影后套刻标记图形；对所述待验证晶圆进行刻蚀以得到刻蚀后套刻标记图形，其中，在光刻过程中利用AEIOVL来补偿套刻精度；根据所述显影后套刻标记图形和所述刻蚀后套刻标记图形，判断是否存在补偿偏差；若存在所述补偿偏差，则根据不同层的刻蚀后套刻标记图形，获取套刻偏差；通过电子束扫描和电镜扫描，获取所述待验证晶圆上的AEI特征图形的关键尺寸；根据不同层的AEI特征图形的关键尺寸，获取特征图形偏差；根据所述套刻偏差和所述特征图形偏差，进行点对点建模以得到拟合曲线，并获取所述拟合曲线的K值和相关系数R2；以及根据所述相关系数R2以及所述K值，判断利用AEIOVL来补偿套刻精度的方式是否有效。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 验证利用AEI OVL补偿套刻精度是否有效的方法
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