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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请公开了一种改善外延层OVL对位问题的方法，包括：提供一衬底；在所述衬底表层形成量测标识，所述量测标识为一凹槽，所述凹槽的侧壁向远离凹槽中心的方向凹陷；在所述衬底表面形成外延层，所述外延层覆盖所述量测标识的部分形成凹陷。本申请通过上述方案，能够解决相关技术中外延层厚度增加会影响量测标识的形貌,使得光刻前层的量测标识外框变形严重，最终导致量测失败的问题。
主权项：1.一种改善外延层OVL对位问题的方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底表层形成量测标识，所述量测标识为一凹槽，所述凹槽的侧壁向远离凹槽中心的方向凹陷；在所述衬底表面形成外延层，所述外延层覆盖所述量测标识的部分形成凹陷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 一种改善外延层OVL对位问题的方法
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