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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种改善重掺砷D字条纹的拉晶方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，通过控制晶体的生长速率、固液界面的温度梯度及冷却速度，使得热传导沿着径向方向传输均匀，晶体生长过程中固液界面平坦，从而消除D字条纹，提升器件端的正品率。
主权项：1.一种改善重掺砷D字条纹的拉晶方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1、在单晶炉热场中，降低上保断热材为预定厚度进行拉晶，以减小固液界面的横向温度梯度，消除拉晶前期的D字条纹；S2、在等径过程中，使用第一预定拉速进行晶棒拉制，并控制晶棒的转速稳定在预定晶转内转动，其中，液口距保持为预定值，以控制晶体的生长速度，使晶体生长过程中固液界面平坦，D字条纹被消除；S3、在冷却过程中，使用第二预定拉速将晶棒拉至冷却室中冷却，以加快冷却速度，使D字条纹进一步被聚集消除。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 改善重掺砷D字条纹的拉晶方法及单晶晶棒
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