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一种自动生长低温敏感人工晶体材料加热功率控制方法 

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申请/专利权人:中国电子科技集团公司第二十六研究所

摘要:本发明公开了一种自动生长低温敏感人工晶体材料加热功率控制方法,先采集晶体生长速度,计算每个采样时刻晶体生长加速度;如果晶体生长加速度出现拐点,则判断是否同时满足以下两个条件:a、距离上一次加热功率调控时间达到加热功率调控的最短时间;b、晶体生长速度大于设定值;如是,则将加热功率调控信号输出给晶体生长加热单元,晶体生长加热单元执行新的加热功率。本方法不但能够实现对温度敏感又滞后晶体的自动生长,而且生长出来的晶体形状可控,晶体内部品质一致性较好。

主权项:1.一种自动生长低温敏感人工晶体材料加热功率控制方法,其特征在于:按如下步骤进行,1根据设定的采样周期采集晶体生长速度,计算每个采样时刻晶体生长加速度;如果晶体生长加速度出现拐点,则进入步骤2,否则继续执行步骤1;晶体生长速度为单位时间内晶体生长质量的变化量;2判断晶体生长加速度拐点出现时是否同时满足以下两个条件:a、距离上一次加热功率调控时间达到加热功率调控的最短时间;b、晶体生长速度大于设定值;如是,则进入步骤3,否则继续执行步骤1;3将加热功率调控信号输出给晶体生长加热单元,晶体生长加热单元执行新的加热功率,新的加热功率按如下方法确定;3.1按式1计算每个采样周期晶体加热功率调整量△W,△Wi=d0ei+d1ei-1+d2ei-21其中,△Wi为第i个周期的加热功率调整量;d0、d1、d2为PID控制项;每个控制项通过PID控制参数计算得到;ei、ei-1、ei-2分别为第i、i-1、i-2采样周期对应的晶体生长速度误差值,所述晶体生长速度误差值为当前采样时刻晶体实际生长速度减去上一采样时刻对应的晶体实际生长速度得到的差值;3.2按式2对当前调控时刻与上一次调控时刻之间的加热功率调整量累加求和,得到加热功率基础调控量U;U=Σ△Wi23.3按式3确定加热功率调控系数K; 其中,emax和emin为当前调控时刻与上一次调控时刻之间的最大晶体生长速度误差值和最小晶体生长速度误差值;3.4按式4计算得到所述新的加热功率W;W=W0+KU4W0为上一次调控时刻对应的加热功率。

全文数据:

权利要求:

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