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申请/专利权人：合肥芯碁微电子装备股份有限公司
申请日：2023-10-08
公开（公告）日：2023-12-26
公开（公告）号：CN117293201A
专利技术分类：..电极[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种异质结电极的制备方法、异质结电极及异质结电池，所述异质结电极的制备方法，包括如下步骤：S003、在沉积金属种子层后的异质结电池片的厚度方向的两侧表面涂布带有粗线图形的掩膜层A；S005、向步骤S004中所述的异质结电池片的粗线图形的间隙镀金属铜层；S007、向步骤S004中所述的异质结电池片的金属铜层上涂布带有精细图形的掩膜层B；S009、将步骤S008中延伸到掩膜层B以外的金属铜层刻蚀处理；S011、在步骤S010中所得异质结电池片的所述金属铜层表面上沉积外层金属保护层。本发明的异质结电极的制备方法生产工艺简单可靠，生产成本低，且提高了生产异质结电池的良率。
专利权项：1.一种异质结电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S003、在沉积金属种子层后的异质结电池片的厚度方向的两侧表面涂布带有粗线图形的掩膜层A；S004、将所述掩膜层A固化；S005、向步骤S004中所述的异质结电池片的粗线图形的间隙镀金属铜层；S006、去除步骤S005中所得异质结电池片上的固化后的掩膜层A；S007、向步骤S006中所述的异质结电池片的金属铜层上涂布带有精细图形的掩膜层B；S008、将步骤S007中所述掩膜层B固化；S009、将步骤S008中延伸到掩膜层B以外的金属铜层刻蚀处理；S010、去除步骤S009中所得异质结电池片上的固化后的掩膜层B；S011、在步骤S010中所得异质结电池片的所述金属铜层表面上沉积外层金属保护层。
百度查询： 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 异质结电极的制备方法、异质结电极及异质结电池
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