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申请/专利权人：吉林大学
摘要：一种基于金修饰ZnFe2O4敏感材料和S‑1分子筛的DMMP气体传感器及其制备方法，属于半导体氧化物气体传感器技术领域。传感器是由市售的外表面带有2个分立的L形金电极的Al2O3衬底、涂敷在Al2O3衬底外表面和L形金电极上金修饰ZnFe2O4敏感材料、旋涂于金修饰ZnFe2O4敏感材料上的S‑1分子筛组成。本发明由简单溶剂热法制备出金修饰ZnFe2O4敏感材料，实现了气敏特性的较大飞跃；进一步在敏感材料上旋涂S‑1分子筛共同制备的传感器对DMMP表现出卓越的选择性和灵敏度，有较好的长期稳定性和重复性。具有器件工艺简单、体积小、适于大批量生产的特点，在检测DMMP污染物方面有广阔的应用前景。
主权项：1.一种基于金修饰ZnFe2O4敏感材料和S-1分子筛的DMMP气体传感器的制备方法，其步骤如下：1取0.08～0.12g金修饰ZnFe2O4纳米颗粒与4～6mL正丁醇混合，形成糊状浆料，然后吸取少量浆料滴在外表面带有2个分立的L形金电极的Al2O3衬底表面，在800～1000rmin下旋涂2～4分钟，形成12～16μm厚的敏感材料薄膜，并使敏感材料完全覆盖在Al2O3衬底外表面和L形金电极上；2待敏感材料薄膜干燥后，把步骤1得到的Al2O3衬底在200～300℃下煅烧1.5～3小时，然后冷却至室温；将0.01～0.02gS-1分子筛加入到400～600μL异丙醇中，将得到的S-1分子筛溶液滴在敏感材料薄膜上，以300～500rmin的速度旋涂1～3分钟；最后按照旁热式气敏元件进行焊接和封装，从而得到基于金修饰ZnFe2O4敏感材料和S-1分子筛的DMMP气体传感器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 吉林大学 基于金修饰ZnFe2O4敏感材料和S-1分子筛的DMMP气体传感器及其制备方法
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