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申请/专利权人：芜湖西晶微电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种4H‑SiCCOMS紫外反相器，该反相器包括n型4H‑SiC外延层，其左侧注入有P离子，以形成p阱区，同时在右侧形成n阱区；栅氧层，位于外延层的下方，并向两侧延伸至部分p阱区和部分n阱区下面；n型源极和p型源，分别位于n阱区和p阱区的下方；栅电极，沿栅氧层的下表面向上延伸至栅氧层内；电极Pad，位于n型源极、p型源极以及栅氧层的下方；紫外感光层，设置在外延层的上表面两端；n型漏极和p型漏极，分别位于n阱区和p阱区上方；若干减反陷光结构，等间隔排布在n型漏极和p型漏极上。该器件结构简单，对工艺要求较低，无需额外的电流处理设备即可直接完成信号输出，降低了对后续的电信号处理要求高。
主权项：1.一种4H-SiCCOMS紫外反相器，其特征在于，包括电极Pad1、栅电极2、栅氧层3、n型源极4、p型源极5、n型4H-SiC外延层6、紫外感光层7、n型漏极8、p型漏极9以及若干减反陷光结构10；其中，所述n型4H-SiC外延层6的左侧注入有P离子，以形成p阱区61，同时在所述n型4H-SiC外延层6的右侧形成n阱区62；所述栅氧层3位于所述n型4H-SiC外延层6的下方，并向两侧延伸至部分所述p阱区61和部分所述n阱区62下面；所述n型源极4和所述位于所述n阱区62的下方，所述p型源极5位于所述p阱区61的下方；所述n型源极4和所述p型源极5分别紧挨所述栅氧层3的左右两侧设置，且厚度与所述栅氧层3的厚度相同；所述栅电极2沿所述栅氧层3的下表面向上延伸至所述栅氧层3内；所述电极Pad1位于所述n型源极4、所述p型源极5以及所述栅氧层3的下方；所述紫外感光层7包括两部分，分别设置在所述n型4H-SiC外延层6的上表面两端，并向中间延伸至覆盖部分所述p阱区61和部分所述n阱区62；所述n型漏极8位于所述n阱区62上方，并全部覆盖所述n阱区62上的紫外感光层7；所述p型漏极9位于所述p阱区61上方，并全部覆盖所述p阱区61上的紫外感光层7；所述若干减反陷光结构10等间隔排布在所述n型漏极8和所述p型漏极9上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芜湖西晶微电子科技有限公司 一种4H-SiC COMS紫外反相器及其制备方法
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