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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明是一种高线性度高耐久FeFET及其制备方法。所述FeFET包括硅衬底，硅衬底表面是图形化的氧化铝界面层，氧化铝界面层上是由铪铝氧铁电层、铪锆氧铁电层和位于这两个铁电层之间的氧化铝薄层组成的混合铁电层，栅极位于混合铁电层上，源漏分别位于混合铁电层下方的硅沟道区两侧。相比于单一材料铁电层的FeFET，本发明基于铪锆氧和铪铝氧混合铁电层的FeFET在施加连续写入电压下表现出更加线性的电导变化，从而提高了权重更新的线性度；同时，高相对介电常数氧化铝界面层和混合铁电层中的氧化铝薄层可以抑制界面陷阱电荷俘获并防止混合铁电层击穿，优化了FeFET的耐久性。该高线性度高耐久FeFET存储器与CMOS逻辑电路可以在同一芯片上集成，实现高能效的片上存内计算。
主权项：1.一种铁电场效应晶体管，包括一硅衬底，其特征在于，硅衬底表面是一图形化的氧化铝界面层，氧化铝界面层上是一混合铁电层，所述混合铁电层由铪铝氧铁电层、铪锆氧铁电层和位于这两个铁电层之间的氧化铝薄层组成，栅极位于混合铁电层上，源漏分别位于混合铁电层下方的沟道区两侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种高线性度高耐久FeFET及其制备方法
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