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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明涉及eDRAM及其形成方法。所述形成方法中，形成于衬底表面的垫氧化层和垫氮化层在形成有源区和多晶硅填充的深沟槽之后被去除，再沉积形成再沉积氧化层和再沉积氮化层，所述再沉积氮化层的均匀性较经过深沟槽制作工艺后的所述垫氮化层好，在深沟槽一侧形成隔离凹槽和扩展槽并填充隔离介质时，可以利用所述再沉积氮化层控制所述隔离介质的顶表面的高度以及平整度，确保所述多晶硅与字线之间形成有效隔离，有助于提升eDRAM的性能以及良率。所述eDRAM采用上述形成方法形成，其中隔离介质的顶表面平整且不同区域的厚度较均匀，有助于提升eDRAM的性能以及良率。
主权项：1.一种eDRAM的形成方法，其特征在于，包括：在衬底表面堆叠垫氧化层和垫氮化层；在衬底中形成至少一个沿第一方向延伸的有源区以及至少一个多晶硅填充的深沟槽，每个所述深沟槽将一所述有源区分隔为分别位于所述深沟槽两侧的第一有源区和第二有源区，所述深沟槽上部的多晶硅与所述第一有源区和所述第二有源区连接，所述多晶硅的顶表面低于所述有源区的顶表面；去除所述垫氮化层和所述垫氧化层，并在所述衬底上堆叠再沉积氧化层和再沉积氮化层；刻蚀所述第二有源区以及与所述第二有源区连接的所述多晶硅，在相对所述第一有源区的所述深沟槽一侧形成隔离凹槽；使所述再沉积氮化层和所述再沉积氧化层在所述第一方向收缩，在所述隔离凹槽顶部形成扩展槽，所述扩展槽暴露出所述多晶硅的顶表面以及所述第一有源区的部分顶表面；在所述隔离凹槽和所述扩展槽中填充隔离介质，所述隔离介质覆盖被暴露的所述第一有源区的顶表面以及所述多晶硅的顶表面；以及在所述衬底上形成至少一条沿第二方向延伸的字线，所述字线横跨所述隔离介质。
全文数据：
权利要求：
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