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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日：2023-06-30
公开（公告）日：2024-01-09
公开（公告）号：CN117364247A
专利技术分类：..碳化物[2006.01]
专利摘要：一种碳化硅晶体及碳化硅晶片。所述碳化硅晶体及碳化硅晶片的单晶比例为100％，其电阻率为15mΩ·cm至20mΩ·cm的范围内，且其电阻率均匀性偏差为小于0.4％。
专利权项：1.一种碳化硅晶体，其中所述碳化硅晶体的单晶比例为100％，所述碳化硅晶体的电阻率为15mΩ·cm至20mΩ·cm的范围内，且所述碳化硅晶体的电阻率均匀性偏差为小于0.4％。
百度查询： 环球晶圆股份有限公司 碳化硅晶体及碳化硅晶片
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