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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日：2018-09-19
公开（公告）日：2024-04-02
公开（公告）号：CN109524296B
专利技术分类：....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长[2006.01]
专利摘要：公开了一种掺杂方法。将第一剂量的第一掺杂剂引入到具有第一表面的半导体本体中。通过在半导体本体的第一表面上形成第一半导体层来增加半导体本体的厚度。在形成第一半导体层的同时，主要通过将第一掺杂剂的至少20％从半导体本体引入到第一半导体层中来设定第一半导体层中的最终的掺杂剂量。
专利权项：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：i将第一剂量的第一掺杂剂引入到具有第一表面的半导体本体中；ii通过在半导体本体的第一表面上形成第一半导体层来增加半导体本体的厚度，并且在形成第一半导体层的同时，主要通过将第一掺杂剂的至少20％从半导体本体引入到第一半导体层的至少一部分中来设定第一半导体层中的最终的掺杂剂量。
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 掺杂方法
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