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申请/专利权人：无锡釜川科技股份有限公司
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种HBC电池的工艺方法，包括以下步骤：1）、使用单晶硅硅片，制备C‑Si；2）、单晶硅硅片采用PECVD方法，进行双面镀膜掺氢本征非晶硅a‑Si（i）；3）、PECVD方法制备a‑Si（n）；4）、PECVD方法制备a‑Si（p）；5）、单晶硅硅片的下侧面的空位再次制备n型非晶硅；6）、通过PVD磁控溅射镀膜的方式制备TCO导电层；7）、在正面进行镀膜减反膜层；8）、激光刻边界线；9）、引出电极，烧结从而实现HBC电池的形成。本发明的正面沉积钝化和反射膜、无金属栅线，消除了正面金属电极结构带来的光学损失，大大提高了电池的光电利用效率。
主权项：1.一种HBC电池的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：1）、使用单晶硅硅片，对其上下表面进行清洗、抛光减薄、制绒、RCA清洗，制备C-Si；2）、处理后的单晶硅硅片采用PECVD方法，进行双面镀膜掺氢本征非晶硅a-Si（i）；3）、在单晶硅片的上侧面镀n型非晶硅，采用PECVD方法制备a-Si（n）；4）、使用掩膜工艺进行群区域的遮挡，在单晶硅硅片的下侧面镀p型非晶硅，采用PECVD方法制备a-Si（p）；5）、更换掩膜工艺，在单晶硅硅片的下侧面的空位再次制备n型非晶硅，采用PECVD方法或离子蒸镀制备；6）、通过PVD磁控溅射镀膜的方式制备TCO导电层；7）、使用PECVD镀膜或以原子层沉积方式在正面进行镀膜减反膜层；8）、激光刻边界线；9）、引出电极，之后进行烧结从而实现HBC电池的形成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡釜川科技股份有限公司 一种HBC电池的工艺方法
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