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申请/专利权人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司

摘要：本发明提供一种制备HBC太阳能电池的方法及其HBC太阳能电池。所述方法包括硅衬底层、正面本征氢化非晶硅层、正面磷掺杂氢化非晶硅层、正面氮化硅减反射膜层、背面本征氢化非晶硅层、背面磷掺杂氢化非晶硅层、背面硼掺杂氢化非晶硅层和背面透明导电氧化物薄膜层的制备步骤。本发明能够提供一种质量更好且缺陷更少的非晶硅薄膜，进而提升了HBC太阳能电池的光电性能，并且正面无栅线遮挡，进而能够捕获更多的太阳光，同时制备工艺步骤简化，不需要在多台设备间切换。

主权项：1.一种制备HBC太阳能电池的方法，其特征在于，所述方法由以下步骤组成：（1）将清洗制绒后的硅片传入热丝化学气相沉积设备中第一个工艺腔进行抽真空，而后热丝加热，并通入硅烷和氢气，调节腔体内的温度和压强，沉积得到正面本征氢化非晶硅层；（2）将步骤（1）沉积完成的正面本征氢化非晶硅层传入第二个工艺腔内，抽真空后热丝加热，并通入硅烷、氢气和磷烷，调节腔体内的温度和压强，沉积得到正面磷掺杂氢化非晶硅层；（3）将步骤（2）沉积完成的正面磷掺杂氢化非晶硅层传入第三个工艺腔内，抽真空后热丝加热，并通入硅烷和氨气，调节腔体内的温度和压强，沉积得到正面氮化硅减反射膜层；（4）将步骤（3）沉积完成的正面氮化硅减反射膜层传入第四个工艺腔内，抽真空后热丝加热，并通入硅烷和氢气，调节腔体内的温度和压强，沉积得到背面本征氢化非晶硅层；（5）将步骤（4）沉积完成的背面本征氢化非晶硅层从第四个工艺腔内传出，并装上第一掩模版，随后传入第五个工艺腔，抽真空后热丝加热，并通入硅烷、氢气和磷烷，调节腔体内的温度和压强，沉积后得到背面磷掺杂氢化非晶硅层；（6）将步骤（5）沉积完成的背面磷掺杂非晶硅层从第五个工艺腔内传出，取下第一掩模版，装上第二掩模版，随后传入第六个工艺腔，抽真空后热丝加热，并通入硅烷、氢气和乙硼烷，调节腔体内的温度和压强，沉积得到背面硼掺杂氢化非晶硅层；（7）将步骤（6）沉积完成的背面硼掺杂氢化非晶硅层从第六个工艺腔内传出，取下第二掩模版，装上第三掩模版，传入物理气相沉积腔内，沉积得到背面透明导电氧化物薄膜层；（8）将步骤（7）得到的背面透明导电氧化物薄膜层传出，进行印刷和烧结，得到所述HBC太阳能电池；步骤（1）和步骤（4）中所述硅烷和氢气的质量比为1:5~10；步骤（1）、步骤（3）和步骤（4）中所述热丝加热的温度为1600~1800℃；步骤（2）、步骤（5）和步骤（6）中所述热丝加热的温度为1800~2000℃；步骤（2）、步骤（5）和步骤（6）中所述调节腔体内的温度和压强至：温度为200~300℃，压强为1~10Pa；步骤（2）中所述硅烷、氢气和磷烷的质量比为1:5~10:0.01~0.1；步骤（5）中所述硅烷、氢气和磷烷的质量比为1:5~10:0.01~0.1；步骤（6）中所述硅烷、氢气和乙硼烷的质量比为1:5~10:0.01~0.1。

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