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摘要：本发明公开了一种TDIICCD器件及其无效电荷抽取控制方法，包括衬底以及形成于所述衬底上光敏区、形成于衬底内的光生电荷转移沟道、集成在所述光敏区内的级数选择控制结构、与所述光生电荷转移沟道连接的电荷溢出控制结构以及与所述光敏区、级数选择控制结构和电荷溢出控制结构均连接的控制时钟，所述级数选择控制结构包括沿第一方向设置在光敏区内的多个级数选择控制栅。与现有技术相比，本发明的TDICCD器件能够对无效区域累积的无效光生电荷进行抽取，以确保有效区域的稳定成像，提高器件的成像质量。
主权项：1.一种TDICCD器件，包括衬底以及形成于所述衬底上光敏区以及形成于衬底内的光生电荷转移沟道，其特征在于，还包括集成在所述光敏区内的级数选择控制结构、与所述光生电荷转移沟道连接的电荷溢出控制结构以及与所述光敏区、级数选择控制结构和电荷溢出控制结构均连接的控制时钟，所述级数选择控制结构包括沿第一方向设置在光敏区内的多个级数选择控制栅；当所述控制时钟控制其中任一级数选择控制栅关断且除该级数选择控制栅之外的其他级数选择控制栅开启时，在第一方向上，该关断的级数选择控制栅将所述光敏区限定为位于所述关断的级数选择控制栅之下的有效区域和或位于关断的级数选择控制栅之上的无效区域，在控制时钟的驱动下，所述有效区域转化得到的有效光生电荷同步累加并沿第一方向转移，所述无效区域转化得到的无效光生电荷则被电荷溢出控制结构抽取防止溢出至有效区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种TDICCD器件及其无效电荷抽取控制方法
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