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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日:2022-11-08
公开(公告)日:2024-05-10
公开(公告)号:CN118010181A
专利技术分类:.利用电阻元件[2006.01]
专利摘要:一种温度测试结构、温度测试芯片及温度测试方法。所述温度测试结构包括:两个以上MOS管,所述MOS管包括:栅极、源极及第二漏极;第一预设极及第二预设极通过相应的第一金属层进行电连接;其中,连接所述MOS管第一预设极的第一金属层之间通过电阻串联连接,连接所述MOS管第二预设极的第一金属层之间并联连接;将连接所述MOS管第一预设极的各第一金属层与电阻的总阻值,作为所述温度测试结构的温度变化量。采用上述方案,可以提高温度检测的精确性。
专利权项:1.一种温度测试结构,其特征在于,包括:两个以上MOS管,所述MOS管包括:栅极、源极及漏极;源极及漏极通过相应的第一金属层进行电连接;其中,连接所述MOS管第一预设极的第一金属层之间通过电阻串联连接,连接所述MOS管第二预设极的第一金属层之间并联连接;基于连接所述MOS管第一预设极的各第一金属层与电阻的总阻值变化,得到所述温度测试结构的温度变化量。
百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 温度测试结构、温度测试芯片及温度测试方法
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