龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：本发明公开了一种III‑V族半导体材料的选区外延生长方法及应用。所述方法包括：在半导体材料基底上设置表面经过活化处理的图形化掩膜层，之后在半导体材料基底上外延生长III‑V族半导体材料，并且III‑V族半导体材料在图形化掩膜层表面及半导体材料基底表面能均匀成核。本发明主要是通过活化掩膜层表面来提高III‑V族半导体选区外延的均匀性，可以有效降低选区外延材料的厚度与掺杂的均匀性对于掩膜图形尺寸的依赖，能够在较低外延生长温度下实现高质量的III‑V族半导体选区外延材料的规模量产，很好地克服了现有技术中在III‑V族半导体材料选区外延时存在的薄膜均匀性差、高效掺杂难和刻蚀损伤等缺点。
主权项：1.一种III-V族半导体材料的选区外延生长方法，其特征在于包括：在半导体材料基底上设置表面经过活化处理的图形化掩膜层，之后在所述半导体材料基底上外延生长III-V族半导体材料，并且所述III-V族半导体材料在图形化掩膜层表面及半导体材料基底表面能均匀成核。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的选区外延生长方法及其应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号