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摘要：本发明提出了一种D‑BAW框架结构及其形成方法，属于体声波滤波器技术领域；所述D‑BAW框架结构包括基底、围栏层、下电极、保护层、压电层、填充层、上电极和调频层；所述围栏层、下电极、保护层、压电层、填充层、上电极和调频层依次沉积于基底上；所述上电极上设置有Frame架构。所述上电极的远离压电层一侧表面上设置有内凹结构。
主权项：1.一种D-BAW框架结构的形成方法，其特征在于，所述D-BAW框架结构的形成方法包括：步骤1、在衬底（10）上沉积热氧化层（11），并且，所述热氧化层（11）仅覆盖部分衬底（10）；步骤2、在所述热氧化层（11）和裸露的衬底（10）上依次沉积上电极（12）和填充层（13）；步骤3、对所述填充层（13）进行刻蚀使上电极（12）的表面平坦化；步骤4、在平台化后的上电极（12）的表面上依次沉积压电层（14）和下电极（15），并刻蚀去除衬底（10）；步骤5、对下电极（15）进行部分刻蚀去除，并在下电极（15）远离压电层（14）一侧的表面上沉积下钝化层（20）；步骤6、裸露的部分压电层（14）表面以及下钝化层（20）的部分表面上沉积牺牲层（16）；步骤7、在所述压电层（14）的剩余裸露表面以及下钝化层（20）的剩余裸露表面上沉积围栏层（17），并且，所述围栏层（17）与牺牲层（16）保持水平；步骤8、在围栏层（17）与牺牲层（16）共同的水平面上布设基底（18）；步骤9、对上电极（12）进行部分刻蚀使暴露填充层，同时，对所述热氧化层（11）进行刻蚀去除，并在上电极（12）和裸露的填充层（13）的表面上沉积上钝化层（19）；所述上钝化层（19）沉积完成之后，对牺牲层（16）进行刻蚀去除。
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