龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底、浮栅极、介电堆叠物、控制栅极及保护层。衬底包括主动区域及周边区域。浮栅极设置在衬底上。介电堆叠物设置在浮栅极上。控制栅极设置在介电堆叠物上。保护层设置在控制栅极上。其中，位于主动区域中的保护层具有阶梯状部分。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一衬底，包括一主动区域及一周边区域；一浮栅极，设置在该衬底上；一介电堆叠物，设置在该浮栅极上；一控制栅极，设置在该介电堆叠物上；以及一保护层，设置在该控制栅极上；其中，位于该主动区域中的该保护层具有一阶梯状部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华邦电子股份有限公司 半导体结构及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号