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摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成多个平行排布的上拉鳍部；在所述基底上形成一个或多个辅助鳍部，所述辅助鳍部和所述上拉鳍部的延伸方向相同；在所述上拉鳍部内形成上拉源漏掺杂层；在所述辅助鳍部内形成辅助源漏掺杂层。通过在所述基底上形成一个或多个所述辅助鳍部，以此提升所述基底上的器件密度，在后续形成所述上拉源漏掺杂层时，降低上拉源漏掺杂层的形成空间，使得形成的所述上拉源漏掺杂层的体积减小，进而使得所述上拉源漏掺杂层与其他区域的源漏掺杂层的体积与性能趋于一致，同时也避免相邻的上拉源漏掺杂层形成短接，提升形成的半导体结构的电学性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的多个平行排布的上拉鳍部；位于基底上的一个或多个辅助鳍部，所述辅助鳍部和所述上拉鳍部的延伸方向相同；位于所述上拉鳍部内的上拉源漏掺杂层；所述上拉源漏掺杂层和辅助源漏掺杂层同步形成，以降低所述上拉源漏掺杂层的形成空间，使得形成的所述上拉源漏掺杂层的体积减小，从而与其他区域的源漏掺杂层的体积与性能趋于一致。
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