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摘要：一种方法包括将第一半导体裸晶以及第二半导体裸晶接合至基板，其中间隙设置在第一半导体裸晶的第一侧壁以及第二半导体裸晶的第二侧壁之间；执行等离子体处理以利用第一掺杂剂掺杂第一半导体裸晶以及第二半导体裸晶中的每一个的顶部表面以及侧壁，其中第一侧壁中的第一掺杂剂的浓度在从第一半导体裸晶的顶部表面朝向第一半导体裸晶的底部表面的纵向方向上降低，且第二侧壁中的第一掺杂剂的浓度在从第二半导体裸晶的顶部表面朝向第二半导体裸晶的底部表面的纵向方向上降低；以及利用旋涂介电材料填充间隙。
主权项：1.一种形成封装体的方法，其特征在于，包括：将一第一半导体裸晶以及一第二半导体裸晶接合至一基板，其中一间隙设置在该第一半导体裸晶的一第一侧壁以及该第二半导体裸晶的一第二侧壁之间；执行一等离子体处理以利用一第一掺杂剂掺杂该第一半导体裸晶以及该第二半导体裸晶中的每一个的数个顶部表面以及数个侧壁，其中该第一侧壁中的该第一掺杂剂的一浓度在从该第一半导体裸晶的一顶部表面朝向该第一半导体裸晶的一底部表面的一纵向方向上降低，且该第二侧壁中的该第一掺杂剂的一浓度在从该第二半导体裸晶的一顶部表面朝向该第二半导体裸晶的一底部表面的一纵向方向上降低；以及利用一旋涂介电材料填充该间隙。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 封装体及其形成方法
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