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摘要：本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成第一氧化层；在部分所述第一氧化层的表面形成栅极层；在所述栅极层的侧壁形成侧墙；刻蚀去除所述侧墙两侧的第一氧化层，至暴露出所述衬底的表面；在暴露出的所述衬底的表面形成补偿层，所述补偿层的顶部表面高于所述栅极层的底部表面；对所述侧墙两侧的所述衬底进行源漏掺杂，形成源漏掺杂区；去除高于所述栅极层的底部表面的所述补偿层，由于补偿层的存在，使得侧墙两侧的衬底的表面得到补偿，形成源漏掺杂区后，源漏掺杂区的顶部表面不会低于栅极层的底部表面，从而消除了源漏掺杂区表面凹陷的缺陷，提升了源漏掺杂区的形成质量。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成第一氧化层；在部分所述第一氧化层的表面形成栅极层；在所述栅极层的侧壁形成侧墙；刻蚀去除所述侧墙两侧的第一氧化层，至暴露出所述衬底的表面；在暴露出的所述衬底的表面形成补偿层，所述补偿层的顶部表面高于所述栅极层的底部表面；对所述侧墙两侧的所述衬底进行源漏掺杂，形成源漏掺杂区；去除高于所述栅极层的底部表面的所述补偿层。
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百度查询： 浙江创芯集成电路有限公司 半导体结构的形成方法
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