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摘要：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括：提供衬底，衬底包括位线材料层；在位线材料层的表面形成多晶硅层；对多晶硅层及位线材料层进行蚀刻，以形成多个硅纳米线以及位于多个硅纳米线下方的位线结构；对多个硅纳米线进行离子处理，以形成多个非晶硅柱；对多个非晶硅柱进行重结晶，以形成多个单晶硅柱。本公开的形成方法可简化工艺，降低结构缺陷，提高产品良率。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括位线材料层；在所述位线材料层的表面形成多晶硅层；对所述多晶硅层及所述位线材料层进行蚀刻，以形成多个硅纳米线以及位于多个所述硅纳米线下方的位线结构；对多个所述硅纳米线进行离子处理，以形成多个非晶硅柱；对多个所述非晶硅柱进行重结晶，以形成多个单晶硅柱。
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