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申请/专利权人：成都雷电微力科技股份有限公司
摘要：本发明涉及芯片程序烧写技术领域，公开了一种多片PROM芯片的程序并行烧写系统及方法，该系统包括上位机、串行总线、FPGA控制系统、和多片PROM芯片，PROM芯片包括JTAG接口，上位机通过串行总线与FPGA控制系统电连接，多片PROM芯片分别通过JTAG接口与FPGA控制系统电连接；其中，PROM芯片用于存储FPGA配置数据。本发明解决了现有技术存在的烧写效率低等问题。
主权项：1.一种多片PROM芯片的程序并行烧写系统，其特征在于，包括上位机、串行总线、FPGA控制系统、和多片PROM芯片，PROM芯片包括JTAG接口，上位机通过串行总线与FPGA控制系统电连接，多片PROM芯片分别通过JTAG接口与FPGA控制系统电连接；其中，PROM芯片用于存储FPGA配置数据。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都雷电微力科技股份有限公司 一种多片PROM芯片的程序并行烧写系统及方法
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