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一种HiPIMS双靶共溅射制备WS2-Ti复合涂层的装置和方法 

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申请/专利权人:台州学院;台州学院温岭研究院

摘要:本发明公开了一种HiPIMS双靶共溅射制备WS2‑Ti复合涂层的装置和方法,该装置包括真空腔体、样品转架、主脉冲电源、从脉冲电源、WS2靶材、Ti靶材和时序控制器,样品转架设置于真空腔体内,WS2靶材和Ti靶材分别固定于真空腔体,WS2靶材和Ti靶材呈八字分布,WS2靶材和Ti靶材分别正对样品转架;主脉冲电源与Ti靶材电连接,从脉冲电源与WS2靶材电连接,时序控制器分别与主脉冲电源和从脉冲电源电连接,时序控制器控制主脉冲电源和从脉冲电源的脉冲时序。该装置可控制两套HiPIMS脉冲电源的脉冲时序,可以有效避免脉冲放电重叠,实现双靶稳定工作,利用该装置制备WS2‑Ti复合涂层,可以改善其耐摩擦磨损性能。

主权项:1.一种HiPIMS双靶共溅射制备WS2-Ti复合涂层的方法,其特征在于包括如下步骤:1、将基体进行清洗后放置于真空腔体内的样品转架上,接着抽真空;2、在室温下,通入工作气体至设定工作压强,打开偏压电源,设置偏压为设定电压,利用辉光等离子体对基体进行清洗;3、设置偏压为设定电压,打开主脉冲电源,预先沉积100-200nm厚度的Ti膜作为打底层;4、打开从脉冲电源,根据设置的双靶脉冲时序进行双靶共溅射,沉积WS2-Ti复合涂层;上述的HiPIMS双靶共溅射制备WS2-Ti复合涂层的方法所采用的装置包括真空腔体、样品转架、主脉冲电源、从脉冲电源、WS2靶材、Ti靶材和时序控制器,样品转架设置于真空腔体内,WS2靶材和Ti靶材分别固定于真空腔体中,WS2靶材和Ti靶材呈八字分布,WS2靶材和Ti靶材分别正对样品转架;时序控制器控制主脉冲电源和从脉冲电源的脉冲时序,可以有效避免脉冲放电重叠,实现双靶稳定工作;主脉冲电源与Ti靶材电连接,从脉冲电源与WS2靶材电连接,时序控制器包括衰减器、D触发器和延时器,主脉冲电源与衰减器连接,衰减器与D触发器的触发端连接,D触发器的复位端接高电平,D触发器的输出端与延时器连接,延时器与从脉冲电源连接。

全文数据:

权利要求:

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