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申请/专利权人:合肥紫钧光恒技术有限公司
摘要:本实用新型涉及一种基于硅光芯片的TAP‑PD,包括:硅光芯片,硅光芯片的一侧布置光纤阵列,硅光芯片上集成有锗硅探测器芯片,硅光芯片上的波导区具有进光波导和出光波导,进光波导的两端分别与光纤阵列和锗硅探测器芯片相耦合,出光波导包括:过渡波导段以及与进光波导相平行的直波导段,过渡波导段的两端分别与进光波导和直波导段相连,直波导段与光纤阵列耦合。有益效果为:通过对结构进行优化,使得整体尺寸可以实现小型化,远小于同轴封装的2mm,可以用于大光功率探测,具体来说就是大于0.1uW的光,此外,分光比灵活,可以是任意比例,并且因为是硅光芯片级工艺,分光比一致性好、便于批量生产。
主权项:1.一种基于硅光芯片的TAP-PD,其特征在于,包括:硅光芯片1,所述硅光芯片1的一侧布置光纤阵列2,所述硅光芯片1上集成有锗硅探测器芯片3,所述硅光芯片1上的波导区具有进光波导110和出光波导120,所述进光波导110的两端分别与所述光纤阵列2和锗硅探测器芯片3相耦合,所述出光波导120包括:过渡波导段以及与进光波导110相平行的直波导段,所述过渡波导段的两端分别与所述进光波导110和直波导段相连,所述直波导段与所述光纤阵列2耦合。
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