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申请/专利权人：日产化学株式会社
摘要：本发明的课题是，本发明提供通过提高聚合物的热回流性从而改善烧成时对图案的填充性的抗蚀剂下层膜组合物、作为由该抗蚀剂下层膜组合物制成的涂布膜的烧成物的抗蚀剂下层膜、和包含形成该抗蚀剂下层膜的工序的半导体装置的制造方法。解决手段是本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物包含下述式A或式B所示的化合物、和溶剂。
主权项：1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式A和或式B所示的化合物、和溶剂， 在式A中，Ar1和Ar2各自独立地表示由可以被Z1取代的碳原子数6～30的1个以上芳香族环构成的基团，R1表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基或碳原子数2～10的炔基，X表示单键或氧原子，Ar7在X为单键时表示与Ar1和Ar2相同的基团，并且在X为氧原子时表示苯基或萘基，在式B中，Ar3～Ar6与所述Ar1和Ar2的定义相同，R2和R3各自与所述R1的定义相同，Y表示单键或可以被Z2取代的2价基，n1、n2、m1、m2表示0或1，n1、n2、m1、m2不全部同时为0，所述Z1为选自卤原子、羟基、氰基、甲基氨基、甲基醚基、环状烷基、苯基、吡啶基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基和碳原子数2～10的炔基中的至少1种，所述Z2为选自碳原子数1～10的烷基和碳原子数1～10的氟烷基中的至少1种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日产化学株式会社 抗蚀剂下层膜形成用组合物
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