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申请/专利权人：日产化学株式会社

摘要：本发明的课题是提供用于在半导体装置制造的光刻工艺中使用的具备耐热性的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含具有下述式I或式I’在式I或式I’中，n1、n2和n3为0，并且环A和环B为苯环或萘环，D表示包含下述式II和或式III所示的结构的二价有机基所示的单元结构的聚合物。半导体装置的制造方法，包含：通过上述抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成下层膜的工序；在上述下层膜上形成硬掩模的工序；进一步在上述硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子射线的照射与显影而形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序；通过被图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序；以及通过被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。

主权项：1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含具有下述式I或式I’所示的单元结构的聚合物， 在式I或式I’中，环A和环B为可以包含杂原子的碳原子数6～80的芳基，且可以具有包含烷基链的环状结构；R1、R2和R3为环的氢原子的取代基，并且各自独立地为卤原子、硝基、氰基、氨基、羟基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～10的炔基、碳原子数6～80的芳基、或可以包含醚键、酮键、硫键、磺酰基、羧基或酯键的这些基团的组合；R4为碳原子数2～10的炔基；n1、n2、和n3各自为0以上、且环上能够取代的最大数以下的整数；D表示包含下述式II和或式III所示的结构的二价有机基； 在式II中，R和R’各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基、可以具有取代基的碳原子数3～30的杂环基、或可以具有取代基的碳原子数10以下的直链、支链或环状的烷基； 在式III中，X和Y可以与Z上的同一碳结合，也可以与彼此不同的碳结合，各自独立地表示可以具有取代基的碳原子数6～30的芳香族烃基、可以具有杂原子或取代基的碳原子数10以下的直链、支链或环状的烷基，Z形成芳香族环可以稠合的、可以具有取代基的、可以包含杂原子的4～12元的单环、二环或三环，i和j各自独立地表示0或1，p、q和k表示结合键的数，p和q各自独立地表示0或1，p和q不同时为0，k表示0～2的整数。

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